| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JANS2N6989 |
| EBEE-Teilenummer | E83200700 |
| Gehäuse | DIP-14 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 1.5W 100@150mA,10V 800mA NPN DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 800mA | |
| Stromableitung (Pd) | 1.5W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 10uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
