| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | JAN2N6338 |
| EBEE-Teilenummer | E83201151 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 200W 30@10A,2V NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP JAN2N6338 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 200W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 50uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 100V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 30@10A,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.8V@25A,2.5A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $300.7124 | $ 300.7124 |
| 200+ | $116.3717 | $ 23274.3400 |
| 500+ | $112.2835 | $ 56141.7500 |
| 1000+ | $110.2623 | $ 110262.3000 |
