| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5794 |
| EBEE-Teilenummer | E83201508 |
| Gehäuse | TO-78-6 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 600mW 100@150mA,10V 600mA NPN TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $111.3287 | $ 111.3287 |
| 200+ | $43.0829 | $ 8616.5800 |
| 500+ | $41.5694 | $ 20784.7000 |
| 1000+ | $40.8205 | $ 40820.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 600mA | |
| Stromableitung (Pd) | 600mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 10uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 40V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 900mV@300mA,30mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $111.3287 | $ 111.3287 |
| 200+ | $43.0829 | $ 8616.5800 |
| 500+ | $41.5694 | $ 20784.7000 |
| 1000+ | $40.8205 | $ 40820.5000 |
