| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5415S |
| EBEE-Teilenummer | E85503593 |
| Gehäuse | TO-39 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 750mW 30@50mA,10V 1A PNP TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $91.1568 | $ 91.1568 |
| 200+ | $36.3732 | $ 7274.6400 |
| 500+ | $35.1569 | $ 17578.4500 |
| 1000+ | $34.5574 | $ 34557.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N5415S | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 750mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 1mA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 200V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 2V@5mA,50mA | |
| Transistortyp | PNP |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $91.1568 | $ 91.1568 |
| 200+ | $36.3732 | $ 7274.6400 |
| 500+ | $35.1569 | $ 17578.4500 |
| 1000+ | $34.5574 | $ 34557.4000 |
