| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N3749 |
| EBEE-Teilenummer | E83200693 |
| Gehäuse | TO-111 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 2W 40@1A,2V 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N3749 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 5A | |
| Stromableitung (Pd) | 2W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 20uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 80V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@1A,2V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1.5V@5A,500mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $385.4852 | $ 385.4852 |
| 200+ | $149.1789 | $ 29835.7800 |
| 500+ | $143.9355 | $ 71967.7500 |
| 1000+ | $141.3449 | $ 141344.9000 |
