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Microchip Tech 2N3501E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N3501E3 |
| EBEE-Teilenummer | E83201258 |
| Gehäuse | TO-39(TO-205AD) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 150V 500mW 100@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $40.7460 | $ 40.7460 |
| 200+ | $15.7693 | $ 3153.8600 |
| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N3501E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 300mA | |
| Stromableitung (Pd) | 500mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 10uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 150V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
