| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N3439UA/TR |
| EBEE-Teilenummer | E83196536 |
| Gehäuse | SMD-4P |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $139.6769 | $ 139.6769 |
| 200+ | $54.0541 | $ 10810.8200 |
| 500+ | $52.1538 | $ 26076.9000 |
| 1000+ | $51.2150 | $ 51215.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N3439UA/TR | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 1A | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 2uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 350V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $139.6769 | $ 139.6769 |
| 200+ | $54.0541 | $ 10810.8200 |
| 500+ | $52.1538 | $ 26076.9000 |
| 1000+ | $51.2150 | $ 51215.0000 |
