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Microchip Tech 2N2219AE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N2219AE3 |
| EBEE-Teilenummer | E83201189 |
| Gehäuse | TO-39 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 50V 800mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $21.6338 | $ 21.6338 |
| 200+ | $8.3735 | $ 1674.7000 |
| 500+ | $8.0790 | $ 4039.5000 |
| 1000+ | $7.9335 | $ 7933.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N2219AE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 800mA | |
| Stromableitung (Pd) | 800mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 10nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 50V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | - | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Transistortyp | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $8.0790 | $ 4039.5000 |
| 1000+ | $7.9335 | $ 7933.5000 |
