| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N1486 |
| EBEE-Teilenummer | E86803350 |
| Gehäuse | TO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 55V 1.75W 35@750mA,4V 3A NPN TO-8 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $155.7152 | $ 155.7152 |
| 200+ | $62.1321 | $ 12426.4200 |
| 500+ | $60.0546 | $ 30027.3000 |
| 1000+ | $59.0298 | $ 59029.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MICROCHIP 2N1486 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Sammlerstrom (Ic) | 3A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.75W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 15uA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 55V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 35@750mA,4V | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 750mV@40mA,750A | |
| Transistortyp | NPN |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $155.7152 | $ 155.7152 |
| 200+ | $62.1321 | $ 12426.4200 |
| 500+ | $60.0546 | $ 30027.3000 |
| 1000+ | $59.0298 | $ 59029.8000 |
