| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5822US |
| EBEE-Teilenummer | E83758268 |
| Gehäuse | MELF |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 3A 500mV@3A MELF Schottky Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $98.8166 | $ 98.8166 |
| 200+ | $38.2416 | $ 7648.3200 |
| 500+ | $36.8971 | $ 18448.5500 |
| 1000+ | $36.2336 | $ 36233.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Diodes ,Single Diodes | |
| Datenblatt | MICROCHIP 1N5822US | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 100uA@40V | |
| Rückspannung (Vr) | 40V | |
| Vorwärtsspannung (Vf-If) | 500mV@3A | |
| Zurückerte Strom | 3A |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $98.8166 | $ 98.8166 |
| 200+ | $38.2416 | $ 7648.3200 |
| 500+ | $36.8971 | $ 18448.5500 |
| 1000+ | $36.2336 | $ 36233.6000 |
