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Microchip Tech 1N5811US
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5811US |
| EBEE-Teilenummer | E83646990 |
| Gehäuse | MELF |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | MELF Diodes - General Purpose ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Dioden - Allgemeines | |
| Datenblatt | Microchip Tech 1N5811US | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@4A | |
| Current - Rectified | 6A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 125A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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