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Microchip Tech 1N5806US
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5806US |
| EBEE-Teilenummer | E85444764 |
| Gehäuse | MELF |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 875mV@1A 25ns 1A 150V MELF Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Microchip Tech 1N5806US | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@150V | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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