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MDD(Microdiode Semiconductor) US1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1G |
| EBEE-Teilenummer | E8415549 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 50+ | $0.0123 | $ 0.6150 |
| 500+ | $0.0098 | $ 4.9000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0073 | $ 36.5000 |
| 25000+ | $0.0067 | $ 167.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) US1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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