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MDD(Microdiode Semiconductor) SS8550-Y2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SS8550 |
| EBEE-Teilenummer | E8364314 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 25V 200mW 120@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0131 | $ 0.6550 |
| 500+ | $0.0101 | $ 5.0500 |
| 3000+ | $0.0082 | $ 24.6000 |
| 6000+ | $0.0072 | $ 43.2000 |
| 24000+ | $0.0064 | $ 153.6000 |
| 51000+ | $0.0059 | $ 300.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) SS8550 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | PNP | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 1.5A | |
| Number | 1 PNP | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz |
Einkaufsleitfaden
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