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MDD(Microdiode Semiconductor) S8050-J3Y
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S8050 |
| EBEE-Teilenummer | E8364312 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0110 | $ 0.5500 |
| 500+ | $0.0090 | $ 4.5000 |
| 3000+ | $0.0054 | $ 16.2000 |
| 6000+ | $0.0047 | $ 28.2000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) S8050 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 600mV | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz |
Einkaufsleitfaden
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