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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT2222A-1P
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MMBT2222A |
| EBEE-Teilenummer | E8364315 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 300mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.0150 | $ 0.7500 |
| 500+ | $0.0117 | $ 5.8500 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 6000+ | $0.0087 | $ 52.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT2222A | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 40V | |
| Current - Collector(Ic) | 600mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 300 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 10nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 300MHz |
Einkaufsleitfaden
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