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MDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
D882-GR
EBEE-Teilenummer
E83200459
Gehäuse
SOT-89-3L
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 500mW 160@1A,2V 300mA NPN SOT-89-3L Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.9583$ 0.9583
200+$0.3709$ 74.1800
500+$0.3585$ 179.2500
1000+$0.3514$ 351.4000
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors
DatenblattMDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR
RoHS
Temperatur-
Sammlerstrom (Ic)300mA
Stromableitung (Pd)500mW
Sammler Cut-Off Current (Icbo)1uA
Durchlaufspannung (Vceo)30V
DC Current Gain (hFE-Ic,Vce)160@1A,2V
Übergangsfrequenz (fT)90MHz
Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib)300mV@2A,200mA
TransistortypNPN

Einkaufsleitfaden

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