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MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSS84 |
| EBEE-Teilenummer | E83290033 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 170mA 350mW 9.9Ω@4.5V,150mA 1.4V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2394 | $ 0.2394 |
| 200+ | $0.0927 | $ 18.5400 |
| 500+ | $0.0895 | $ 44.7500 |
| 1000+ | $0.0879 | $ 87.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | ||
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -50℃~+150℃ | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 170mA | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 9.9Ω@4.5V,150mA | |
| Stromableitung (Pd) | 350mW | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.8pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 43pF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 1.77nC@30V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 500+ | $0.0895 | $ 44.7500 |
| 1000+ | $0.0879 | $ 87.9000 |
