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MDD(Microdiode Semiconductor) BC848A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BC848A |
| EBEE-Teilenummer | E82858516 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 200mW 110@2mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0183 | $ 0.1830 |
| 100+ | $0.0143 | $ 1.4300 |
| 300+ | $0.0122 | $ 3.6600 |
| 3000+ | $0.0101 | $ 30.3000 |
| 6000+ | $0.0088 | $ 52.8000 |
| 9000+ | $0.0083 | $ 74.7000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) BC848A | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 30V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 110 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 6V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 500mV | |
| Transition frequency(fT) | 100MHz |
Einkaufsleitfaden
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| 300+ | $0.0122 | $ 3.6600 |
| 3000+ | $0.0101 | $ 30.3000 |
| 6000+ | $0.0088 | $ 52.8000 |
| 9000+ | $0.0083 | $ 74.7000 |
