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MDD(Microdiode Semiconductor) 2SC1815
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2SC1815 |
| EBEE-Teilenummer | E82858506 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 50V 200mW 130@2mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0087 | $ 0.4350 |
| 500+ | $0.0068 | $ 3.4000 |
| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0045 | $ 108.0000 |
| 51000+ | $0.0042 | $ 214.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) 2SC1815 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 150mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Transition frequency(fT) | 80MHz |
Einkaufsleitfaden
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| 3000+ | $0.0056 | $ 16.8000 |
| 6000+ | $0.0050 | $ 30.0000 |
| 24000+ | $0.0045 | $ 108.0000 |
| 51000+ | $0.0042 | $ 214.2000 |
