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LGE BC856S


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BC856S
EBEE-Teilenummer
E87544884
Gehäuse
SOT-363
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
65V 200mW 110@2mA,5V 100mA PNP SOT-363 Bipolar (BJT) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
20+$0.0319$ 0.6380
200+$0.0248$ 4.9600
600+$0.0209$ 12.5400
3000+$0.0186$ 55.8000
9000+$0.0166$ 149.4000
21000+$0.0155$ 325.5000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors
DatenblattLGE BC856S
RoHS
TypPNP
Collector - Emitter Voltage VCEO65V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 PNP
Pd - Power Dissipation200mW
DC Current Gain475
Emitter-Base Voltage(Vebo)5V
Current - Collector Cutoff15nA
Vce Saturation(VCE(sat))-
Transition frequency(fT)250MHz

Einkaufsleitfaden

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