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LGE 1N5819
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5819 |
| EBEE-Teilenummer | E8402218 |
| Gehäuse | DO-41 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V Independent Type 900mV@3A 1A DO-41 Schottky Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schottky Dioden | |
| Datenblatt | LGE 1N5819 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1mA@40V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 900mV@3A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+125℃ |
Einkaufsleitfaden
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