| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TC58NYG0S3HBAI6 |
| EBEE-Teilenummer | E8481875 |
| Gehäuse | VFBGA-67 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Beschreibung | 1.7V~1.95V 1Gbit VFBGA-67 NAND FLASH ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3042 | $ 4.3042 |
| 10+ | $3.5359 | $ 35.3590 |
| 30+ | $3.0672 | $ 92.0160 |
| 100+ | $2.6738 | $ 267.3800 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | KIOXIA TC58NYG0S3HBAI6 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+85℃ | |
| Schnittstelle | Parallel | |
| Spannung - Versorgung | 1.7V~1.95V | |
| Speichergröße | 1Gbit | |
| Zeit der Programmierung der Seite (Tpp) | 25ns | |
| Standby Supply Current | 50uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3042 | $ 4.3042 |
| 10+ | $3.5359 | $ 35.3590 |
| 30+ | $3.0672 | $ 92.0160 |
| 100+ | $2.6738 | $ 267.3800 |
