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JSMSEMI S8050-J3Y
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S8050-J3Y |
| EBEE-Teilenummer | E818221467 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 25V 300mW 350@50mA,1V 300mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager: 621200
Minimum: 100Vielfache: 100
Stückpreis
$ 0.0049
Gesamtpreis
$ 0.4900
Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0049 | $ 0.4900 |
| 1000+ | $0.0039 | $ 3.9000 |
| 3000+ | $0.0035 | $ 10.5000 |
| 9000+ | $0.0031 | $ 27.9000 |
| 45000+ | $0.0028 | $ 126.0000 |
| 90000+ | $0.0026 | $ 234.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | JSMSEMI S8050-J3Y | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Transistortyp | NPN | |
| Sammlerstrom (Ic) | 300mA | |
| Stromableitung (Pd) | 300mW | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 25V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 350@50mA,1V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 150MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | 600mV@500mA,50mA |
Einkaufsleitfaden
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Minimum: 100Vielfache: 100
Stückpreis
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
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|---|---|---|
| 100+ | $0.0049 | $ 0.4900 |
| 1000+ | $0.0039 | $ 3.9000 |
| 3000+ | $0.0035 | $ 10.5000 |
| 9000+ | $0.0031 | $ 27.9000 |
| 45000+ | $0.0028 | $ 126.0000 |
| 90000+ | $0.0026 | $ 234.0000 |
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