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JSMSEMI MURS120T3G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MURS120T3G |
| EBEE-Teilenummer | E85296729 |
| Gehäuse | SMB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 875mV@1A 35ns 2A 200V SMB Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | JSMSEMI MURS120T3G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2uA@200V | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 2A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 40A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Einkaufsleitfaden
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