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JSMSEMI MJD127T4G-JSM


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MJD127T4G-JSM
EBEE-Teilenummer
E820606863
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
100V 1000@4V,4A PNP 8A 1.75W TO-252 Darlington Transistors ROHS
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MengeStückpreisGesamtpreis
5+$0.1529$ 0.7645
50+$0.1190$ 5.9500
150+$0.1045$ 15.6750
500+$0.0864$ 43.2000
2500+$0.0836$ 209.0000
5000+$0.0788$ 394.0000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,Darlington Transistoren
DatenblattJSMSEMI MJD127T4G-JSM
RoHS
TypPNP
Collector - Emitter Voltage VCEO100V
Current - Collector(Ic)8A
Pd - Power Dissipation1.75W
DC Current Gain1000
Current - Collector Cutoff10uA
Vce Saturation(VCE(sat))4V@8A,80mA
Transition frequency(fT)4MHz

Einkaufsleitfaden

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