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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. US1M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1M |
| EBEE-Teilenummer | E82923913 |
| Gehäuse | SMAG |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SMAG Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0236 | $ 0.4720 |
| 200+ | $0.0193 | $ 3.8600 |
| 600+ | $0.0169 | $ 10.1400 |
| 5000+ | $0.0147 | $ 73.5000 |
| 10000+ | $0.0135 | $ 135.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. US1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA | |
| Diodenkonfiguration | 1 Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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