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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. UMD6N


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
UMD6N
EBEE-Teilenummer
E82910252
Gehäuse
SOT-363
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
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MengeStückpreisGesamtpreis
10+$0.0086$ 0.0860
100+$0.0068$ 0.6800
300+$0.0059$ 1.7700
3000+$0.0053$ 15.9000
6000+$0.0048$ 28.8000
9000+$0.0045$ 40.5000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
DatenblattJSCJ UMD6N
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃
TypNPN+PNP
Eingangswiderstand6.11kΩ
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Pd - Power Dissipation150mW
DC Current Gain100
Current - Collector Cutoff0.5uA
Emitter-Base Voltage VEBO5V
Vce Saturation(VCE(sat))300mV
Transition frequency(fT)250MHz

Einkaufsleitfaden

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