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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. ES1D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ES1D |
| EBEE-Teilenummer | E82923914 |
| Gehäuse | SMAG |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 950mV@1A 35ns Independent Type 1A 200V SMAG Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 200+ | $0.0209 | $ 4.1800 |
| 600+ | $0.0182 | $ 10.9200 |
| 5000+ | $0.0160 | $ 80.0000 |
| 10000+ | $0.0146 | $ 146.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schnelle Erholung / Hocheffizienz Dioden | |
| Datenblatt | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. ES1D | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@200V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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