Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IS34ML01G081-BLI |
| EBEE-Teilenummer | E81348840 |
| Gehäuse | VFBGA-63(9x11) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>59 Auf Lager für schnelle Lieferung
59 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+85℃ | |
| Schnittstelle | - | |
| Spannung - Versorgung | 2.7V~3.6V | |
| Speichergröße | 1Gbit | |
| Zeit der Programmierung der Seite (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
59 Stock for Shipping Fast
59 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
