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Infineon Technologies BFR193WH6327
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BFR193WH6327 |
| EBEE-Teilenummer | E8152683 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 12V 580mW 70@30mA,8V 80mA NPN SOT-323-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 50+ | $0.1850 | $ 9.2500 |
| 150+ | $0.1655 | $ 24.8250 |
| 500+ | $0.1411 | $ 70.5500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies BFR193WH6327 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 12V | |
| Current - Collector(Ic) | 80mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 580mW | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 2V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 8GHz |
Einkaufsleitfaden
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