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Infineon Technologies BFP650H6327
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BFP650H6327 |
| EBEE-Teilenummer | E8151520 |
| Gehäuse | SOT-343-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 4V 500mW 100@70mA,3V 150mA NPN SOT-343-4 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1925 | $ 0.9625 |
| 50+ | $0.1707 | $ 8.5350 |
| 150+ | $0.1613 | $ 24.1950 |
| 500+ | $0.1496 | $ 74.8000 |
| 3000+ | $0.1137 | $ 341.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies BFP650H6327 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 4V | |
| Current - Collector(Ic) | 150mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 1.2V | |
| Current - Collector Cutoff | 40nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 42GHz |
Einkaufsleitfaden
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