| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S34ML02G100BHI003 |
| EBEE-Teilenummer | E82759941 |
| Gehäuse | BGA-63 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 2Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+85℃ | |
| Schnittstelle | - | |
| Spannung - Versorgung | 2.7V~3.6V | |
| Uhr Frequenz | - | |
| Speichergröße | 2Gbit | |
| Zeit der Programmierung der Seite (Tpp) | 200us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
