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Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200TFI000
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S34ML01G200TFI000 |
| EBEE-Teilenummer | E883656 |
| Gehäuse | TSOP-48-18.4mm |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991b1a |
| Beschreibung | 2.7V~3.6V 1Gbit TSOP-48-18.4mm NAND FLASH ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3394 | $ 2.3394 |
| 10+ | $1.9951 | $ 19.9510 |
| 30+ | $1.7782 | $ 53.3460 |
| 96+ | $1.5565 | $ 149.4240 |
| 480+ | $1.4575 | $ 699.6000 |
| 960+ | $1.4134 | $ 1356.8640 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,NAND FLASH | |
| Datenblatt | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200TFI000 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+85℃ | |
| Schnittstelle | - | |
| Spannung - Versorgung | 2.7V~3.6V | |
| Uhr Frequenz | - | |
| Speichergröße | 1Gbit | |
| Zeit der Programmierung der Seite (Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3394 | $ 2.3394 |
| 10+ | $1.9951 | $ 19.9510 |
| 30+ | $1.7782 | $ 53.3460 |
| 96+ | $1.5565 | $ 149.4240 |
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| 960+ | $1.4134 | $ 1356.8640 |
