| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S25FS512SAGMFI011 |
| EBEE-Teilenummer | E82909900 |
| Gehäuse | SOIC-16-300mil |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Beschreibung | 512Mbit SPI SOIC-16-300mil NOR FLASH ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6093 | $ 7.6093 |
| 10+ | $7.2769 | $ 72.7690 |
| 47+ | $6.3986 | $ 300.7342 |
| 94+ | $6.2285 | $ 585.4790 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gedächtnis ,NOR FLASH | |
| Datenblatt | Infineon/Cypress Semicon S25FS512SAGMFI011 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -40℃~+85℃ | |
| Schnittstelle | SPI | |
| Spannung - Versorgung | 1.7V~2V | |
| Uhr Frequenz | 133MHz | |
| Speichergröße | 512Mbit | |
| Zeit der Programmierung der Seite (Tpp) | - | |
| Data Retention - TDR (Year) | 20 Years | |
| Standby Supply Current | 0.07mA | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | - |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6093 | $ 7.6093 |
| 10+ | $7.2769 | $ 72.7690 |
| 47+ | $6.3986 | $ 300.7342 |
| 94+ | $6.2285 | $ 585.4790 |
