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HXY MOSFET US1M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1M |
| EBEE-Teilenummer | E85199103 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 1kV SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 2000+ | $0.0056 | $ 11.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET US1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1kV | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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