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HXY MOSFET US1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | US1G |
| EBEE-Teilenummer | E85199105 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| 20+ | $0.0093 | $ 0.1860 |
| 200+ | $0.0073 | $ 1.4600 |
| 600+ | $0.0062 | $ 3.7200 |
| 2000+ | $0.0054 | $ 10.8000 |
| 10000+ | $0.0048 | $ 48.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET US1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@400V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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