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HXY MOSFET UMH3N
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | UMH3N |
| EBEE-Teilenummer | E820611976 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | NPN+NPN 150mW 0.1A 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0327 | $ 9.8100 |
| 3000+ | $0.0282 | $ 84.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | HXY MOSFET UMH3N | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | - | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 4.7kΩ | |
| Resistor Ratio | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 600 | |
| Current - Collector Cutoff | 0.5uA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz | |
| Output Voltage(VO(on)) | - |
Einkaufsleitfaden
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