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HXY MOSFET LMV358IDR-HXY
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LMV358IDR-HXY |
| EBEE-Teilenummer | E819626962 |
| Gehäuse | SOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | Dual 5pA 1V/us 1.2MHz Rail-to-rail input, rail-to-rail output 700uV SOP-8 Operational Amplifier ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0494 | $ 0.2470 |
| 50+ | $0.0483 | $ 2.4150 |
| 150+ | $0.0475 | $ 7.1250 |
| 500+ | $0.0468 | $ 23.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Amplifiers/Comparators ,Operational Amplifier | |
| Datenblatt | HXY MOSFET LMV358IDR-HXY | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ | |
| Rail to Rail | Rail-to-Rail Input, Rail-to-Rail Output | |
| Quiescent Current | 85uA | |
| Noise density(eN) | 30nV/√Hz@1kHz | |
| Output Current | 40mA | |
| Maximum Power Supply Range (Vdd-Vss) | 6V | |
| Input Offset Current(Ios) | 50pA | |
| Number of Channels | 2 | |
| Voltage - Supply | -3V~-1V;1V~3V | |
| Vos - Input Offset Voltage | 3mV | |
| Ib - Input Bias Current | 5pA | |
| Common Mode Rejection Ratio(CMRR) | 83dB | |
| Gain Bandwidth Product | 1.2MHz | |
| Slew Rate | 1V/us | |
| Input offset current drift(Ios TC) | - | |
| Input Offset Voltage Drift(Vos TC) | 1uV/℃ | |
| Single Supply | 2.1V~6V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0483 | $ 2.4150 |
| 150+ | $0.0475 | $ 7.1250 |
| 500+ | $0.0468 | $ 23.4000 |
