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HXY MOSFET LESD8D12CT5G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LESD8D12CT5G-HXY |
| EBEE-Teilenummer | E818198395 |
| Gehäuse | DFN1006-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 8A 17V 13.3V Bidirectional 12V DFN1006-2L ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Circuit Protection ,ESD and Surge Protection (TVS/ESD) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET LESD8D12CT5G-HXY | |
| RoHS | ||
| Type | ESD | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA | |
| Peak Pulse Power Dissipation (Ppp) | 140W@8/20us | |
| polarity | Bidirectional | |
| Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm) | 12V | |
| Clamping Voltage | 17V |
Einkaufsleitfaden
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