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HXY MOSFET HMMUN2233LT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HMMUN2233LT1G |
| EBEE-Teilenummer | E822396410 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1 NPN - bias preset 246mW 100mA 50V SOT-23 Digital Transistors ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0180 | $ 0.9000 |
| 500+ | $0.0140 | $ 7.0000 |
| 3000+ | $0.0118 | $ 35.4000 |
| 6000+ | $0.0105 | $ 63.0000 |
| 24000+ | $0.0094 | $ 225.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Digital Transistors | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HMMUN2233LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Input Resistor | 4.7kΩ | |
| Resistor Ratio | 0.1 | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 1 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 200 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV |
Einkaufsleitfaden
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