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HXY MOSFET HBAV99WT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HBAV99WT1G |
| EBEE-Teilenummer | E822396412 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 1 pair in series 6ns 200mA SOT-323 Switching Diodes ROHS |
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| 500+ | $0.0118 | $ 5.9000 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HBAV99WT1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 2.5uA | |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@150mA | |
| Current - Rectified | 200mA | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+125℃ |
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