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HXY MOSFET GS1M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GS1M |
| EBEE-Teilenummer | E841419595 |
| Gehäuse | SMA |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 1A Independent Type 1kV 1.1V SMA Diodes - General Purpose ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Diodes - General Purpose | |
| Datenblatt | HXY MOSFET GS1M | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1000V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | - | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Einkaufsleitfaden
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