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HXY MOSFET D5V0L1B2LP3-7-HXY


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
D5V0L1B2LP3-7-HXY
EBEE-Teilenummer
E818198391
Gehäuse
DFN0603-2L
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
8A 10V 5.6V Bidirectional 5V DFN0603-2L ESD and Surge Protection (TVS/ESD) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
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500+$0.0137$ 6.8500
1500+$0.0116$ 17.4000
15000+$0.0099$ 148.5000
30000+$0.0088$ 264.0000
45000+$0.0083$ 373.5000
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TypBeschreibung
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KategorieCircuit Protection ,ESD and Surge Protection (TVS/ESD)
DatenblattHXY MOSFET D5V0L1B2LP3-7-HXY
RoHS
Operating Temperature-40℃~+125℃
TypeESD
Reverse Leakage Current (Ir)500nA
Peak Pulse Power Dissipation (Ppp)80W@8/20us
polarityBidirectional
Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm)5V
Clamping Voltage10V

Einkaufsleitfaden

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