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HXY MOSFET 1N5819WS
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5819WS |
| EBEE-Teilenummer | E85451629 |
| Gehäuse | SOD-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-323 Schottky Diodes ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Dioden ,Schottky Dioden | |
| Datenblatt | HXY MOSFET 1N5819WS | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@30V | |
| Diodenkonfiguration | Independent | |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 350mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+125℃ |
Einkaufsleitfaden
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