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HXY MOSFET 1N5819W
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N5819W |
| EBEE-Teilenummer | E85451628 |
| Gehäuse | SOD-123 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-123 Schottky Diodes ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Diodes ,Schottky Diodes | |
| Datenblatt | HXY MOSFET 1N5819W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@30V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 350mA |
Einkaufsleitfaden
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