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HGSEMI TL062CN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TL062CN |
| EBEE-Teilenummer | E85310759 |
| Gehäuse | DIP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DIP-8 FET Input Amplifiers ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Amplifiers/Comparators ,FET Input Amplifiers | |
| Datenblatt | HGSEMI TL062CN | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | 0℃~+70℃ | |
| Rail to Rail | - | |
| Quiescent Current | 200uA | |
| Noise density(eN) | 47nV/√Hz@1kHz | |
| Output Current | - | |
| Maximum Power Supply Range (Vdd-Vss) | 36V | |
| Input Offset Current(Ios) | 0.5pA | |
| Number of Channels | - | |
| Voltage - Supply | -15V~15V | |
| Vos - Input Offset Voltage | 3mV | |
| Ib - Input Bias Current | 5pA | |
| Common Mode Rejection Ratio(CMRR) | 84dB | |
| Gain Bandwidth Product | 2MHz | |
| Slew Rate | 5V/us | |
| Input Offset Voltage Drift(Vos TC) | 10uV/℃ |
Einkaufsleitfaden
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