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HGSEMI LF353IN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LF353IN |
| EBEE-Teilenummer | E841415974 |
| Gehäuse | DIP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DIP-8 FET Input Amplifiers ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2125 | $ 1.0625 |
| 50+ | $0.1669 | $ 8.3450 |
| 150+ | $0.1473 | $ 22.0950 |
| 500+ | $0.1229 | $ 61.4500 |
| 2500+ | $0.1120 | $ 280.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Amplifiers/Comparators ,FET Input Amplifiers | |
| Datenblatt | HGSEMI LF353IN | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ | |
| Rail to Rail | - | |
| Quiescent Current | 1.4mA | |
| Output Current | - | |
| Maximum Power Supply Range (Vdd-Vss) | 36V | |
| Input Offset Current(Ios) | 1.5nA | |
| Number of Channels | 2 | |
| Voltage - Supply | -18V~18V | |
| Vos - Input Offset Voltage | 3mV | |
| Ib - Input Bias Current | 2.5nA | |
| Common Mode Rejection Ratio(CMRR) | 85dB | |
| Gain Bandwidth Product | 3MHz | |
| Slew Rate | 13V/us | |
| Input Offset Voltage Drift(Vos TC) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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| 50+ | $0.1669 | $ 8.3450 |
| 150+ | $0.1473 | $ 22.0950 |
| 500+ | $0.1229 | $ 61.4500 |
| 2500+ | $0.1120 | $ 280.0000 |
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