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HARRIS GES5816
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GES5816 |
| EBEE-Teilenummer | E83201521 |
| Gehäuse | TO-92 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 500mW 100@2mA,2V 750mA NPN TO-92 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3039 | $ 0.3039 |
| 200+ | $0.1176 | $ 23.5200 |
| 500+ | $0.1135 | $ 56.7500 |
| 1000+ | $0.1114 | $ 111.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Datenblatt | HARRIS GES5816 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+135℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 750mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@2mA,2V | |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@500mA,50mA | |
| Transistor type | NPN |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.1135 | $ 56.7500 |
| 1000+ | $0.1114 | $ 111.4000 |
