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HARRIS 2N5871
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N5871 |
| EBEE-Teilenummer | E83201161 |
| Gehäuse | TO-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 115W 2.5@4A,20V 7A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $211.0475 | $ 211.0475 |
| 200+ | $81.6730 | $ 16334.6000 |
| 500+ | $78.8038 | $ 39401.9000 |
| 1000+ | $77.3842 | $ 77384.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Datenblatt | HARRIS 2N5871 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Sammlerstrom (Ic) | 7A | |
| Stromableitung (Pd) | 115W | |
| Sammler Cut-Off Current (Icbo) | - | |
| Durchlaufspannung (Vceo) | 60V | |
| DC Current Gain (hFE-Ic,Vce) | 2.5@4A,20V | |
| Übergangsfrequenz (fT) | 4MHz | |
| Samt-Emitter-Sätsationsspannung (VCE(sat) Ic,Ib) | - | |
| Transistortyp | PNP |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $211.0475 | $ 211.0475 |
| 200+ | $81.6730 | $ 16334.6000 |
| 500+ | $78.8038 | $ 39401.9000 |
| 1000+ | $77.3842 | $ 77384.2000 |
